IGBT管(MOS管)的原理详解发表时间:2020-07-27 11:10 IGBT又称MOS管,是由双极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率 半导体器件 。其输入极为MOS管输出极为PNP晶体管。因此,可以把其看作是MOS管输入的达林顿管。 ![]() 如果IGBT栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低则IGBT不能稳定的工作;如果过高甚至超过栅极—发射极之间的耐压,则IGBT可能会永久损坏。 同样,如果IGBT集电极与发射极之间的电压超过允许值,则流过IGBT的电流会超限,导致IGBT的结温超过允许值,此时IGBT也有可能会永久损坏。 二、IGBTMOS管极性判断: 对IGBT进行检测时,应选用指针式万用表。首先将万用表拨到R×1kΩ档,用万用表测量各极之间的阻值。若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则此极为栅极G。再用万用表测量其余两极之间的阻值,若测得阻值为无穷大,调换表笔后阻值较小,当测量阻值较小时,红表笔接触的为集电极C,黑表笔接触的为发射极E。 ![]() 三、IGBTMOS管好坏的判断: 判断IGBT好坏时必须选用指针式万用表(电子式万用表内部电池电压太低),也可以使用9V电池代替。首先将万用表拨到R×10kΩ档(R×1kΩ档时,内部电压过低,不足以使IGBT导通),用黑表笔接IGBT的集电极C,红表笔接IGBT的发射极E,此时万用表的指针在零位。 用手指同时触及一下栅极G和集电极C,这时IGBT被触发导通,万用表的指针明显摆动并指向阻值较小的方向并能维持在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极G和发射极E,这时IGBT被阻断,万用表的指针回零。在检测中以上现象均符合,可以判定IGBT是好的,否则该IGBT存在问题。 【内容声明】本文刊载的所有内容,包括文字、图片、音频、视频、软件、程序、以及网页版式设计等均在网上搜集。本文提供的内容或服务仅用于个人学习、研究或欣赏,以及其他非商业性或非盈利性用途,本网站不承担任何法律责任。如涉及版权问题,请及时通知本网站删除。 |