IGBT管（MOS管）的原理详解

IGBT又称MOS管，是由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率 半导体器件 。其输入极为MOS管输出极为PNP晶体管。因此，可以把其看作是MOS管输入的达林顿管。

它融合了MOS管的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高（10-40kHz）等特点，已逐步取代晶闸管和门极可关断晶闸管（GTO），是目前发展最为迅速的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、UPS及逆变焊机当中。

一、 IGBTMOS管 的工作原理:

IGBT由栅极G、发射极E和集电极C三个极控制。

IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。

由下图可知，若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOS管导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS管截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。

         

       

用手指同时触及一下栅极G和集电极C，这时IGBT被触发导通，万用表的指针明显摆动并指向阻值较小的方向并能维持在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极G和发射极E，这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。在检测中以上现象均符合，可以判定IGBT是好的，否则该IGBT存在问题。

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